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首页> 外文期刊>Journal of Micromechanics and Microengineering >Zero-level packaging of MEMS in standard CMOS technology
【24h】

Zero-level packaging of MEMS in standard CMOS technology

机译：采用标准CMOS技术的MEMS零级封装

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A novel technique for global packaging of MEMS devices using standard CMOS technology is presented. A MEMS polysilicon resonator is fabricated and on-chip packaged using two metal layers already available from the CMOS technology. A simple buffered HF wet etching process is performed in house to release the MEMS resonator while metal deposition is used to vacuum seal the zero-level package. Both post-processing steps are carried out on CMOS chips. The design of the metal layers is carefully done in order to avoid the degradation of the MEMS. The electrical frequency response of the resonator is used for testing the performance of the final package. Electrical measurements and physical characterization demonstrate proper performance of the MEMS resonator and package.
机译：提出了一种使用标准CMOS技术对MEMS器件进行全球封装的新颖技术。使用已经可以从CMOS技术获得的两个金属层来制造和封装MEMS多晶硅谐振器。在室内执行简单的缓冲HF湿法刻蚀工艺以释放MEMS谐振器，而金属沉积用于真空密封零级封装。两个后处理步骤均在CMOS芯片上执行。为了避免MEMS的退化，金属层的设计要仔细进行。谐振器的电频率响应用于测试最终封装的性能。电气测量和物理特性证明了MEMS谐振器和封装的适当性能。

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