Silicon fusion bond interfaces resilient to wet anisotropic etchants

Kohler J.; Vallin O.; Hedlund C.; Backlund Y.; Strandman C.

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Silicon fusion bond interfaces resilient to wet anisotropic etchants

机译：硅熔合界面对湿各向异性蚀刻剂具有弹性

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The bond interface in silicon microsystems is sensitive to the subjection to wet anisotropic etchants. Fusion bond interfaces of bonded wafers resilient to potassium hydroxide or tetramethyl ammonium hydroxide etching are obtained using wafers of oxidized silicon bonded to oxidized silicon, where the bond oxide is removed by trifluoromethane plasma etching. Other investigated bond configurations initiate severe damages during etching. [References: 10]

机译：硅微系统中的键界面对湿法各向异性蚀刻剂的作用敏感。使用结合到氧化硅上的氧化硅晶片，获得对氢氧化钾或四甲基氢氧化铵蚀刻有韧性的结合晶片的熔融结合界面，其中通过三氟甲烷等离子体蚀刻除去结合氧化物。其他研究的键配置在蚀刻过程中会引发严重损坏。 [参考：10]

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来源
《Journal of Micromechanics and Microengineering》 |2001年第4期|共5页
作者
Kohler J.; Vallin O.; Hedlund C.; Backlund Y.; Strandman C.;
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1. Silicon fusion bond interfaces resilient to wet anisotropic etchants [J] . Kohler J., Vallin O., Hedlund C., Journal of Micromechanics and Microengineering . 2001,第4期

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