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机译:结合反应离子刻蚀工艺的长宽比可变的导电微尖端电极阵列
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机译:深度反应离子蚀刻参数对具有高纵横比极深硅蚀刻工艺蚀刻速率和表面形态的影响:
机译:深度反应离子刻蚀和聚焦离子束技术相结合制造的高清晰度高比例原子力显微镜针尖
机译:尖端具有局部超微电极的高纵横比导电微尖端阵列的制备和测量
机译:一种选择过程变量进行反馈控制并应用于反应性离子刻蚀的方法
机译:开发基于刺的基于微尖端的电极阵列用于生物电势测量
机译:校正至:通过溶液工艺及其柔性透明导电电极应用的铜纳米线纵横比控制
机译:采用时间复用蚀刻 - 钝化工艺的高纵横比siC微结构深反应离子刻蚀(DRIE)