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首页> 外文期刊>Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal >Ultrafast and high-sensitivity photovoltaic effects in TiN/Si Schottky junction
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Ultrafast and high-sensitivity photovoltaic effects in TiN/Si Schottky junction

机译：TiN / Si肖特基结中的超快和高灵敏度光伏效应

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Ultrafast photovoltaic effects with high sensitivity in both vertical and lateral directions have been observed in the TiN/Si Schottky junction. The open-circuit vertical photovoltage across the junction is 400mV under irradiation of an HeNe laser with a power of 7mW. The response speed is in the picosecond order. Furthermore, we found a large lateral photovoltage (LPV) parallel to the plane of the junction. The LPV between the two electrodes on the Si substrate of the junction depends linearly on the position of the incident laser spot. And the highest position sensitivity is 60 mV mm(-1) over the displacement of the laser spot. These characteristics indicate the potential applications of the TiN/Si junction in photodetectors and position sensitive detectors.
机译：在TiN / Si肖特基结中已观察到在垂直和横向方向都具有高灵敏度的超快光电效应。在功率为7mW的HeNe激光辐照下，结两端的开路垂直光电压为400mV。响应速度以皮秒为单位。此外，我们发现平行于结平面的大横向光电压（LPV）。结的Si基板上两个电极之间的LPV线性取决于入射激光点的位置。在激光光斑的位移范围内，最高位置灵敏度为60 mV mm（-1）。这些特性表明TiN / Si结在光电探测器和位置敏感探测器中的潜在应用。

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