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首页> 外文期刊>Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal >Epitaxial growth and resistive switching properties of BaTiO3 on (001) Si by RF sputtering
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Epitaxial growth and resistive switching properties of BaTiO3 on (001) Si by RF sputtering

机译：射频溅射在（001）Si上BaTiO3的外延生长和电阻转换特性

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Epitaxial BaTiO3 (0 0 1) thin films with a TiN template layer have been deposited on Si(0 0 1) single crystal substrates by RF sputtering. The deposited BaTiO3 films showed a very smooth surface with a roughness of 0.75 nm. The orientation relationship was determined to be BaTiO3(0 0 1)[1 1 0]parallel to TiN(0 0 1)[1 1 0]parallel to Si(0 0 1)[1 1 0]. The microstructure and interface of the heterostructure were studied using high resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The electron diffraction pattern confirmed the epitaxial relationship between each layer. The current-voltage (I-V) characteristics of the TiN/BaTiO3/TiN/Si sample showed a clear resistive switching. The ratio of the high resistance state to the low resistance state is 150 with an input voltage from -4.5 to 4.5V.
机译：具有TiN模板层的外延BaTiO3（0 0 1）薄膜已通过RF溅射沉积在Si（0 0 1）单晶基板上。所沉积的BaTiO 3膜显示出非常光滑的表面，其粗糙度为0.75nm。确定取向关系为平行于TiN（0 0 1）[1 1 0]平行于Si（0 0 1）[1 1 0]的BaTiO 3（0 0 1）[1 1 0]。使用高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）研究了异质结构的微观结构和界面。电子衍射图证实了各层之间的外延关系。 TiN / BaTiO3 / TiN / Si样品的电流-电压（I-V）特性显示出清晰的电阻切换。输入电压为-4.5至4.5V时，高阻态与低阻态之比为150。

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