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首页> 外文期刊>Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal >Isolation of p-type carbon delta-doped layers in GaAs by ion bombardment
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Isolation of p-type carbon delta-doped layers in GaAs by ion bombardment

机译：通过离子轰击隔离GaAs中的p型碳δ掺杂层

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The evolution of the sheet resistance (R-S) in delta-doped layers in GaAs during He ion irradiation was investigated. The R-S increases with the dose accumulation in a similar way that occurs in layers with much wider dopant profiles, produced either by ion implantation or epi-growth. The R-S becomes higher than 10(9) Omega/sq after the so-called threshold dose (D-th) is accumulated. The values of D-th closely correlate with the ratio of the estimated number of replacement collisions at the depth of the delta-doped layer and the original sheet hole concentration. The maximum thermal stability of the isolation, i.e. the persistence of R-S at values above 10(9) Omega/sq after a subsequent thermal annealing is of about 550-600 degrees C.
机译：研究了He离子辐照过程中GaAsδ掺杂层中薄层电阻（R-S）的变化。 R-S以类似的方式随着剂量累积而增加，出现在通过离子注入或外延生长产生的具有更宽的掺杂剂分布的层中。在累积了所谓的阈值剂量（D-th）之后，R-S变得高于10（9）Omega / sq。 D-th的值与在δ掺杂层深度处的估计替换碰撞次数与原始薄板孔浓度的比率紧密相关。隔离的最大热稳定性，即在随后的热退火之后，R-S在10（9）Omega / sq以上的持久性约为550-600摄氏度。

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