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首页> 外文期刊>Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal >All solution-processed high-resolution bottom-contact transparent metal-oxide thin film transistors
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All solution-processed high-resolution bottom-contact transparent metal-oxide thin film transistors

机译：所有溶液处理的高分辨率底接触透明金属氧化物薄膜晶体管

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We report all solution-processed high-resolution bottom-contact indium-gallium-zinc-oxide (IGZO) thin film transistors (TFTs) using a simple surface patterning and dip-casting process. High-resolution nanoparticulate Ag source/drain electrodes and a sol—gel processed IGZO semiconductor were deposited by a simple dip-casting along with a photoresist-free, non-relief-pattern lithographic process. The deposited Ag and IGZO solution can be steered into the desired hydrophilic areas by a low surface energy self-assembled monolayer, resulting in source/drain electrodes and semiconducting layer, respectively. The all solution-processed bottom-contact IGZO TFTs including a channel length of 10 gm typically showed a mobility range 0.05-0.2 cm~2 V~(-1) s~(—1) with an on/off ratio of more than 10~6.
机译：我们报告使用简单的表面构图和浸铸工艺对所有溶液处理的高分辨率底接触铟镓锌氧化物（IGZO）薄膜晶体管（TFT）进行处理。通过简单的浸铸以及无光刻胶，无浮雕图案的光刻工艺，可以沉积高分辨率的纳米银源/漏电极和溶胶-凝胶处理的IGZO半导体。可以通过低表面能自组装单层将沉积的Ag和IGZO溶液引导至所需的亲水区域，从而分别形成源/漏电极和半导体层。沟道长度为10 gm的所有溶液处理的底部接触IGZO TFT通常显示的迁移率范围为0.05-0.2 cm〜2 V〜（-1）s〜（-1），开/关比大于10 〜6。

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