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首页> 外文期刊>Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal >Capacitance-voltage and current-voltage characteristics of Au Schottky contact on n-type Si with a conducting polymer
【24h】

Capacitance-voltage and current-voltage characteristics of Au Schottky contact on n-type Si with a conducting polymer

机译：n型硅与导电聚合物的Au肖特基接触的电容电压和电流电压特性

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Capacitance-voltage and current_voltage characteristics of Au-type Si (n-Si) and Au/poly(3,4-ethyl'enedioxythiophene) doped with poly(4-styrenesulfonate) (PEDOT:PSS)-Si Schottky diodes were investigated in this study. The interfacial phenomenon was explained in terms of the generation of an interfacial dipole subsequently affecting the electron-injection barrier. The authors found that inserting a PEDOT : PSS layer at the Au-Si interface may result in the formation of an interfacial dipole, increase the upward band bending in Si near the interface and reduce the reverse-bias leakage current. In this study, higher quality Schottky junctions were formed on n-Si using a simple technique of spin-coating PEDOT : PSS as the metal electrode.
机译：掺杂聚（4-苯乙烯磺酸盐）（PEDOT：PSS）/ n-Si肖特基二极管的Au / n型Si（n-Si）和Au /聚（3,4-乙基'二烯二氧噻吩）的电容-电压和电流-电压特性在这项研究中进行了调查。用界面偶极子的产生来解释界面现象，该偶极子随后影响电子注入势垒。作者发现，在Au / n-Si界面处插入PEDOT：PSS层可能会导致界面偶极子的形成，增加界面附近Si的向上能带弯曲，并减小反向偏置泄漏电流。在这项研究中，使用简单的旋涂PEDOT：PSS技术作为金属电极，在n-Si上形成了更高质量的肖特基结。

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