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Determination of deep levels' parameters in epi-GaAs by a transient acoustoelectric technique

机译：瞬态声电技术确定Epi-GaAs中深层参数

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A new acoustoelectric method is developed in order to study solid state layered structures. The method is based on the transient transverse acoustoelectric voltage (TAV) measurements. The decay of the TAV signal is read when a surface acoustic wave (SAW) producing the signal is switched off. The shape of the transient voltage and its spectral dependence on the wavelength of a light irradiation are studied. A theoretical model is presented to explain the transient TAV data. The results demonstrate that the transient acoustoelectric technique is an effective means of characterizing trapping centres in the bulk and at surfaces or interfaces of epitaxial semiconductor structures. [References: 16]
机译：为了研究固态分层结构，开发了一种新的声电方法。该方法基于瞬态横向声电电压（TAV）测量。当关闭产生声表面波（SAW）时，将读取TAV信号的衰减。研究了瞬态电压的形状及其对光照射波长的光谱依赖性。提出了理论模型来解释瞬态TAV数据。结果表明，瞬态声电技术是表征在外延半导体结构的整体中以及在表面或界面处的陷阱中心的有效手段。 [参考：16]

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