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机译:钨对3.0和5.0 keV电子的背向散射系数的角度依赖性
机译:钨对3.0和5.0 keV电子的背向散射系数的角度依赖性
机译:背散射电子对8-28 keV电子与钨碰撞产生的总电子产率的贡献
机译:背向散射电子对8–28 keV电子与钨碰撞产生的总电子产率的贡献
机译:裸露和植被土壤雷达雷达反向散射系数和亮度温度在15GHz的角度依赖性的初步偏振测量
机译:第一性原理研究半导体表面的电子结构和光学特性的统一方法,用于精确计算量子角动量的耦合系数。
机译:使用聚焦换能器测量圆柱体后向散射系数对频率和直径的依赖性-在小梁骨中的应用
机译:水蒸气电子射出截面的角度和能量依赖性。 III。 20-150-keV中性氢冲击
机译:入射到某些金属和合金上的1.0到3.0-meV电子的透射和后向散射系数