...
机译:氢气加载过程中外延(0001)layers层的结构变化
机译:氢气加载过程中外延(0001)layers层的结构变化
机译:C端接的4H-SiC(0001′)表面合成的外延石墨烯层的结构缺陷-透射电子显微镜和密度泛函理论研究
机译:C端接的4H-SiC(0001)表面透射电子显微镜和密度泛函理论研究合成的外延石墨烯层的结构缺陷
机译:控制4H-SiC(0001)上外延石墨烯的厚度以及通过氢嵌入去除缓冲层
机译:在碳化硅{0001}表面上形成的外延石墨烯的结构研究。
机译:氢气下生长后退火在4H-SiC(0001)上外延石墨烯中的高电子迁移率
机译:外延石墨烯层结构应变的证据 6H-siC(下0001)