...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal >Characteristics of plasma immersion ion implantation with a nanosecond rise-time pulse: Particle-in-cell simulations
【24h】

Characteristics of plasma immersion ion implantation with a nanosecond rise-time pulse: Particle-in-cell simulations

机译：纳秒上升时间脉冲的等离子体浸没离子注入的特性：细胞内颗粒模拟

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Processes of plasma immersion ion implantation are analyszed numerically using a one-dimension-in-space and three-dimension-in-velocity particle-in-cell plus Monte Carlo collision (1D3V PIC-MCC) model. The behaviour of ions and electrons between the processed target and the source plasma is simulated after a nanosecond rise-time voltage pulse is applied to the target. The simulation results show that electron-neutral ionization collisions play a significant role in determining the magnitudes of the ion and electron densities when the pulse rise time is very short, and that the plasma density can be enhanced many times. The physical mechanism for this phenomenon is explained in terms of the formation of a reverse electric field inside the plasma chamber.
机译：使用空间中的一维和速度上的三维粒子在细胞内以及蒙特卡洛碰撞（1D3V PIC-MCC）模型对等离子体浸没离子注入过程进行数值分析。在将纳秒上升时间电压脉冲施加到目标后，模拟处理后的目标和源等离子体之间离子和电子的行为。仿真结果表明，当脉冲上升时间很短时，电子中性电离碰撞在确定离子强度和电子密度方面起着重要作用，并且等离子体密度可以提高很多倍。通过在等离子体室内形成反向电场来解释这种现象的物理机制。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号