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首页> 外文期刊>Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal >Effect of bias on neutron detection in thin semiconducting boron carbide films
【24h】

Effect of bias on neutron detection in thin semiconducting boron carbide films

机译：偏压对碳化硼薄半导体薄膜中子检测的影响

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Neutron detection signatures in thin films of semiconducting boron carbide were measured as a function of three applied reverse bias voltages, 0, 1.57V and 3.15V. Thermal neutrons were detected at zero bias. As the bias was increased, an increase in efficiency and in peak channel positions was observed. These two significant effects have been attributed to an increase in charge collection at higher bias voltages.
机译：测量半导体碳化硼薄膜中的中子检测信号，作为三个施加的反向偏置电压（0、1.57V和3.15V）的函数。在零偏压下检测到热中子。随着偏置的增加，观察到效率和峰值通道位置的增加。这两个明显的影响归因于在较高偏置电压下电荷收集的增加。

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