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直径20nmのゲルマニウムナノワイヤーの不純物ドーピングに成功--次世代縦型トランジスタ材料の新しい評価技術を確立

机译:成功掺杂直径为20 nm的锗纳米线杂质-为下一代垂直晶体管材料建立了新的评估技术

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摘要

物質?材料研究棟構の研究グループは、シリコンに代わる次世代半導体材料として注目されているゲルマニウムナノワイヤー(直径20nm以下)へのキャリアドーピングに世界で初めて成功した。制御のために導入したドーバント不純物の状態についても、非破壊?非凝触で検出することも可能にした。ナノワイヤーは、シリコンやゲルマニウムなど多結晶を経由しないで、一気に単結晶化することが可能なことから次世代の超LsⅠや低コストで高効率な太陽電池などへの発展が期待されている。
机译:材料研究大楼的研究小组在掺杂锗纳米线(直径小于等于20 nm的纳米线)的载流子掺杂方面在世界上首次取得了成功,作为下一代替代硅的半导体材料引起了人们的关注。还可以以非破坏性和不粘着的方式检测为控制而引入的Dovant杂质的状态。由于纳米线可以立即单晶而无需穿过硅和锗等多晶,因此有望将其发展为下一代超Ls I和低成本,高效率的太阳能电池。

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  • 来源
    《金属時評》 |2010年第2139期|共3页
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  • 正文语种 jpn
  • 中图分类 冶金工业;
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