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首页> 外文期刊>電子情報通信学会技術研究報告. 電子部品·材料. Component Parts and Materials >化学気相成長法を用いて作製した単層グラフェンの積層による2層グラフェンの作製と電気特性
【24h】

化学気相成長法を用いて作製した単層グラフェンの積層による2層グラフェンの作製と電気特性

机译：化学气相生长法制备单层石墨烯的制备及其两层石墨烯的电学特性

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単層グラフェンを積み重ねることで2層グラフェンを作製した。化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：CVD）法により成長させたグラフェンを、ポリメチルメタクリレート（Poly methyl methacrylate：PMMA）を保護膜としてSiO_2／Si基板へ転写した。Cu箔とPMMA膜を除去するためFe（NO）_3と酢酸を用いてエッチングを行った。この転写·エッチングのプロセスを2回行うことにより2層グラフェンを作製した。この2層グラフェンの電気伝導特性を測定した。シート抵抗は290Kで1300Ω／sqであり、275Kから40Kまでは金属的伝導を示し、40K以下では半導体的伝導を示した。
机译：通过堆叠单层石墨烯来生产两层石墨烯。使用聚甲基丙烯酸（PMMA）作为保护膜，将通过化学气相沉积（CVD）方法生长的石墨烯转移到SiO_2 / Si基板上。使用Fe（NO）3和乙酸进行蚀刻以去除Cu箔和PMMA膜。通过执行两次该转移/蚀刻工艺来制备两层石墨烯。测量了该两层石墨烯的导电特性。薄层电阻在290K时为1300Ω/ sq，显示出从275K到40K的金属导通，而在40K以下的半导体导通。

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