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首页> 外文期刊>日本结晶学会志 >X線逆格子イメージング法を用いた表界面ナノ構造評価
【24h】

X線逆格子イメージング法を用いた表界面ナノ構造評価

机译：X射线逆晶格成像方法评估表面界面纳米结构

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従来の表面X線回折法と相補的な関係にあるX線逆格子イメージング法を開発した背景，動機を述べ，その方法の原理を説明した．一次元二次元，および，薄膜の試料を調べた研究例を紹介した．大気中に置かれた縞状NiO一次元ナノ構造に初適用し，その方法のアイデアである，ナノ構造のブラツグ条件が非常に見つけやすいことを示せた．原子層1枚分の約1/10ときわめて微量なBi原子細線構造がエピタキシヤルシリコンに埋め込まれた後も，ダイマー（ペアー）構造を残している知見が得られた．さらに相変化途中のAu電極界面二次元構造を観察した．Bi_4Ti_3O_（12）薄膜の結果から，逆格子イメージが一目で判別できる可能性を示せた．このように，X線逆格子イメージング法は非真空環境にあるナノ構造の迅速，非破壊，および超高感度な測定にきわめて有効であることを実証できた．より高エネルギーの入射X線と実時間測定が可能な二次元X線検出器，微小集光光学系との利用を組み合わせ，文字どおりナノ材料の迅速解析法になるよう展開したい．
机译：他描述了开发X射线逆晶格成像方法的背景和动机，该方法与常规的表面X射线衍射法具有互补关系，并解释了该方法的原理。我们介绍了研究一维，二维和薄膜样本的研究示例。它首先被应用于放置在大气中的条状NiO一维纳米结构，并且表明纳米结构的袋化条件是该方法的思想，非常容易找到。发现即使在极少量的Bi原子细线结构中嵌入一层外延硅中，也仅保留了一个原子层的1/10左右的Bi原子细线结构。此外，我们观察到金电极界面在相变过程中的二维结构。从Bi_4Ti_3O_（12）薄膜的结果可以看出，一眼就能分辨出逆晶格图像。以此方式，证明了X射线逆晶格成像方法对于在非真空环境中快速，无损和超灵敏地测量纳米结构非常有效。我们想结合使用高能入射X射线，能够实时测量的二维X射线探测器和微聚光学系统来开发一种用于纳米材料的字面快速分析方法。

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