IGBTデバイスの電気特性解析用モデルによる設計精度の向上

山田昭治; 阿形泰典; 藤本英俊

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IGBTデバイスの電気特性解析用モデルによる設計精度の向上

机译：通过模型提高设计精度，以进行IGBT器件的电特性分析

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IGBT製品の電気特性解析を行うため，IPMやIGBTの高精度·高汎用性モデルが求められている。IPMモデルは，ドライバICモデルやパッケージモデルなどて構成する。パッケージモデルを導入してパッケージでの放熱性の解析や電磁界解析によりLR等価回路を求め，電気特性の解析に通用した。イグナイタ用IGBTのモデルは，MOSFETやBJTに過渡特性を模擬する付加回路を組み合わせた等価回路モデルで構成する。これらのモデルを用いることにより，実測とのフィッティング精度が良い電気特性解析を実現でき，IGBT製品の設計精度向上に寄与している。

机译：为了分析IGBT产品的电气特性，需要IPM和IGBT的高精度和高度通用的模型。 IPM模型由驱动器IC模型和封装模型组成。我们介绍了一种封装模型，并通过分析封装的散热并分析电磁场来获得LR等效电路，该电路已被用于电气特性分析。点火器的IgBT模型由等效电路模型组成，该模型将MOSFET和BJT与模拟瞬态特性的附加电路相结合。通过使用这些模型，可以通过实际测量实现具有良好拟合精度的电气特性分析，从而有助于提高IGBT产品的设计精度。

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来源
《富士時報》 |2009年第856期|共4页
作者
山田昭治; 阿形泰典; 藤本英俊;
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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类电机;
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1. IGBTデバイスの電気特性解析用モデルによる設計精度の向上 [J] . 山田昭治, 阿形泰典, 藤本英俊富士時報 . 2009,第3a856期

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