Ultrafast Optical Switching Devices Utilizing Intersubband Transition in GaN Quantum Wells

IIZUKA Norio; KANEKO Kei; SUZUKI Nobuo

首页> 外文期刊>東芝レビュー >Ultrafast Optical Switching Devices Utilizing Intersubband Transition in GaN Quantum Wells

【24h】

Ultrafast Optical Switching Devices Utilizing Intersubband Transition in GaN Quantum Wells

机译：利用GaN量子阱中的子带间跃迁的超快光开关器件

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Optical switches are being developed utilizing the intersubband transition (ISBT) in nitride semiconductor quantum wells, for application to future ultrafast network systems. So far, the ISBT has been achieved at optical communication wavelengths and optical responses within a picosecond have been demonstrated. Moreover, the ISBT has been observed for a waveguide structure. Simulations were carried out utilizing the parameters obtained from the experiments. The results suggest that operation at 1 Tb/s could be achieved with a power consumption of less than 1 W. These results confirm the possibility of realizing optical switching devices.

机译：正在利用氮化物半导体量子阱中的子带间跃迁（ISBT）开发光开关，以应用于未来的超快网络系统。到目前为止，ISBT已在光通信波长处实现，并且已证明了皮秒内的光响应。此外，对于波导结构已经观察到ISBT。利用从实验中获得的参数进行模拟。结果表明，可以以小于1 W的功耗实现1 Tb / s的操作。这些结果证实了实现光开关器件的可能性。

著录项

来源
《東芝レビュー》 |2002年第11期|共4页
作者
IIZUKA Norio; KANEKO Kei; SUZUKI Nobuo;
展开▼
作者单位

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类电工基础理论;无线电电子学、电信技术;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Ultrafast Optical Switching Devices Utilizing Intersubband Transition in GaN Quantum Wells [J] . IIZUKA Norio, KANEKO Kei, SUZUKI Nobuo 東芝レビュー . 2002,第11期

机译：利用GaN量子阱中的子带间跃迁的超快光开关器件
2. Fabrication and Measurement of A1N Cladding AIN/GaN Multiple-Quantum-Well Waveguide for All-Optical Switching Devices Using Intersubband Transition [J] . Toshimasa Shimizu, Chaiyasit Kumtornkittikul, Norio Iizuka, Japanese Journal of Applied Physics. Part 1, Regular Papers, Brief Communications & Review Papers . 2007,第10Apt1期

机译：使用子带间跃迁的全光开关器件AlN包层AIN / GaN多量子阱波导的制作和测量
3. Feasibility study on ultrafast Mach-Zehnder interferometer optical gate switches utilizing intersubband transition in GaN [J] . Nobuo Suzuki 電子情報通信学会技術研究報告. 光通信システム. Optical Communication Systems . 2001,第220期

机译：利用GaN中子带间跃迁的超快Mach-Zehnder干涉仪光闸开关的可行性研究
4. GaN/AlN multiple quantum wells and waveguide fabrication for ultrafast photonic devices utilizing intersubband transition [C] . Kumtornkittikul, C., Waki, . 2004

机译：利用子带间跃迁的超快光子器件的GaN / AlN多量子阱和波导制造
5. Ultrafast all -optical switching based on intersubband transitions in gallium nitride /aluminum nitride quantum-well waveguides [D] . Li, Yan 2009

机译：氮化镓/氮化铝量子阱波导中基于子带间跃迁的超快全光切换
6. Intersubband Transition in GaN/InGaN Multiple Quantum Wells [O] . G. Chen, X. Q. Wang, X. Rong, -1

机译：GaN / InGaN多量子阱中的子带间跃迁
7. GaN/AlN Multiple Quantum Wells and Nitride-Based Waveguide Structures for Ultrafast All-Optical Switch Utilizing Intersubband Transition [O] . Kumtornkittikul Chaiyasit 2006

机译：GaN / AlN多量子阱和基于氮化物的波导结构，可利用子带间跃迁实现超快全光开关
8. Ultrafast Nonlinear Optical Spectroscopy of a Dual-Band Negative Index Metamaterial All-Optical Switching Device. [R] . Dani, K. M., Ku, Z., Upadhya, P. C., 2011

机译：双带负指数超材料全光开关器件的超快非线性光谱。

Ultrafast Optical Switching Devices Utilizing Intersubband Transition in GaN Quantum Wells

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅