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【24h】

九州工大、磁性単結晶に弱磁場かけると電気抵抗が無限に増大する機構発見

机译:九州工业大学发现了​​一种机制,当对磁性单晶施加弱磁场时,电阻会无限增大

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摘要

九州工業大学の岸根順一郎准教授らはロシアのウラル連邦大学と共同で、「カイラル磁性体」と呼ぶ磁性単結晶に弱い磁場をかけると、電気抵抗が無限に増大する機構を見つけた。ハードディスク駆動装匿など磁気媒体の記憶容量を飛躍的に増やせる可能性があるという。単結晶における新しいタイプの磁気抵抗効果の発見であり、新型の磁気抵抗素子の開発につながる。
机译:与俄罗斯乌拉尔联邦大学合作,九州工业大学副教授Junichiro Kishine等人发现了一种机制,当向称为“手性磁性材料”的磁性单晶施加弱磁场时,电阻无限增加。据说有可能大大增加诸如硬盘驱动器隐藏物之类的磁性介质的存储容量。在单晶中新型磁阻效应的发现将导致新型磁阻元件的开发。

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