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【24h】

シリコン基板上窒化ガリウム系パワーデバイス

机译：硅衬底上基于氮化镓的功率器件

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地球温暖化問題が注目され、その主要因とされるCO2の排出削減のために種々の分野で省エネルギー化が取り上げられている。このため、電気エネルギーの高効率利用が重要な課題になってきており、電気の変換や制御を行うSiパワーデバイスのいっそうの高性能化が要求されている。しかし、MOSFETやIGBTなどのSiデバイスに見られるように、Siの物性限界に直面し大幅な性能向上はもはや困難な状況にある。
机译：全球变暖的问题正在引起人们的关注，并且在各个领域都采取了节能措施以减少二氧化碳的排放，这是主要因素。因此，电能的高效利用已经成为重要的问题，并且需要进一步提高转换和控制电力的Si功率器件的性能。但是，如在MOSFET和IGBT等Si器件中所见，面对Si的物理限制，不再可能显着提高性能。

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