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【24h】

放射線グラフ：ト重合法による半導体製造薬液用金属除去モジュール「メトーレ」開発と実用化

机译：辐射图：“ Metore”的开发和商业化，Metore是通过聚合方法用于半导体制造化学品的金属去除模块

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半導体製造工程（ウェーハ製造工程、デバィス製造工程：ウエットプロセス）では腐食性の高い様々な薬液（強酸、強アルカリ、酸化剤等）が使用される。例えばシリコンウェーハの製造時に発生した加工変質を除去するアルカリエッチング工程では、4 5 ～ 5 0w％ 水酸化ナトリウム水溶液や4 5 ～5 0w％ 水酸化カリウム水溶液が用いられている。これらの高濃度アルカリ水溶液は、主にイオン交換膜を用いた電解法によって製造されており、原体や製造工程に由来する金属不純物を数ppm程度含有レている。これらの金属不純物の中で例えば、ニッケルと銅はシリコンウェーハ表面に付着または内部に浸透して電気特性に異常を与え、歩留り低下の原因となる。このため、シリコンウェーハ製造のアルカリエッチングに使用する高濃度アレカリ水溶液中のニッケルと銅はサブppb レべルといった極めて低い濃度レべル以下に抑える必要がある。
机译：在半导体制造过程（晶片制造过程，器件制造过程：湿法过程）中，使用了各种高腐蚀性化学品（强酸，强碱，氧化剂等）。例如，在碱性蚀刻步骤中使用45至50重量％的氢氧化钠水溶液或45至50重量％的氢氧化钾水溶液，以消除在硅晶片的制造过程中产生的加工劣化。这些高浓度碱性水溶液主要通过使用离子交换膜的电解法制备，并且包含约几ppm的源自原始主体和制备工艺的金属杂质。在这些金属杂质中，例如，镍和铜附着在硅晶片的表面上或渗透到内部，从而导致电特性异常，从而导致成品率降低。因此，必须将硅晶片生产中用于碱性蚀刻的高浓度Arekari水溶液中的镍和铜保持在极低的浓度水平，例如低于ppb的水平。

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