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プラズマ·イオン注入技術

机译：等离子注入技术

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プラズマイオン注入プロセスはアメリカにて開発され，世界中に伝播した技術である1）。 開発の当初よりイオン注入による改質が目されてきたが，液近では注入のみではなく，堆積を伴う複合プロセスへと変わりつつある。基材を金属プラズマあるいはカーボンなどを含む固体プラズマ中に浸し，堆積と共に高電圧印加による注入法を併せ持つ技術として研究，開発されている。 一方，プロセスの特徴として，従来のイオンプロセスに比べ媒質のインピーダンスがきわめて低い領域でのプロセスである点があげられる。 プラズマイオン注入堆積法においては従来の堆積?イオン注入技術に付加して三次元の形状を持つ基材の表面処理が目的とされるため，プラズマ種の空間均一性が重視される。 さらに均一な注入に対しては過渡的なイオンシースの形成が担っており，パルス電圧の発生がハードウエアとしての重要な技術となっている。 言い換えれば三次元基材に対する均一なイオン注入や表面処理のためにイオンシース長の制御を行う技術が必須である。 このようにプラズマイオン注入堆積技術は潮しいプラズマ源の開発やパルス印加技術をはじめとしてこれらを合理的に運用する複合システム技術にいたっている。
机译：等离子体离子注入工艺是在美国开发并在世界范围内传播的技术1）。从开发的开始，就已经看到了通过离子注入进行的重整，但是在液体附近，它正在转变为一个既涉及沉积又涉及注入的复杂过程。作为将基材浸入包含金属等离子体或碳的固体等离子体中，并通过施加高电压并进行沉积来进行注入方法的技术，正在研究和开发。另一方面，该过程的特征之一是与常规离子过程相比，它是在介质的阻抗极低的区域中的过程。由于等离子体离子注入沉积方法的目的是除了常规的沉积/离子注入技术之外还处理具有三维形状的基材的表面，因此强调了等离子体种类的空间均匀性。此外，瞬态离子鞘的形成负责均匀注入，脉冲电压的产生是作为硬件的重要技术。换句话说，控制离子鞘长度的技术对于在三维衬底上均匀地进行离子注入和表面处理是必不可少的。这样，等离子体离子注入和沉积技术导致了潮汐等离子体源和合理操作它们的复杂系统技术的发展，其中包括脉冲施加技术。

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