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Atomic-level simulation of non-equilibrium surface chemical reactions under plasma-wall interaction

机译：等离子体-壁相互作用下非平衡表面化学反应的原子级模拟

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Molecular dynamics (MD) simulations are used for the study of non-thermal-equilibrium reactions that take place on the substrate surface during plasma etching processes. In MD simulations, the motion of each atom is solved numerically based upon pre-determined interatomic potential functions and data of interest (such as sputtering yields, deposition rates, etch products, etc.) are evaluated from statistical averaging of relevant instantaneous data obtained from the simulations. In the present work, MD simulations of organic polymer etching by hydrocarbon beams were performed and atomic-scale morphology of the substrate surface during the etching and its relation to sputtering yields were examined. (C) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：分子动力学（MD）模拟用于研究等离子蚀刻过程中在基板表面发生的非热平衡反应。在MD模拟中，每个原子的运动都基于预定的原子间电势函数进行数值求解，并根据统计平均值计算感兴趣的数据（例如溅射产率，沉积速率，蚀刻产物等），并从中获得相关数据模拟。在本工作中，进行了用烃束蚀刻有机聚合物的MD模拟，并研究了蚀刻过程中基板表面的原子尺度形态及其与溅射产率的关系。 （C）2007 Elsevier B.V.保留所有权利。

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