Исследован фотоотклик в магнетосопротивлении двумерной электронной системы с высокой плотностью электронов на электромагнитное излучение субмиллиметрового диапазона. Обнаружены эффект подавления осцилляции Шубникова-де Гааза излучением, имеющий сложную зависимость от магнитного поля, и индуцированные излучением осцилляции магнетосопротивления. Подавление наиболее выражено в отдельных узких областях по магнитному полю, хорошо соответствующих ожидаемым положениям магнетоплазменных резонансов в исследованном образце, а также вблизи положения циклотронного резонанса. Наблюдено "окно" в фотоотклике, находящееся вблизи значения поля, предсказываемого на основании одночастичного электронного спектра, состоящего из уширенных уровней Ландау. Индуцированные излучением осцилляции, "окно" в фотоотклике и подавление осцилляции Шубникова-де Гааза вблизи циклотронного резонанса описаны на основании теории, основным компонентом которой является неравновесное заполнение одноэлектронных состояний. Таким образом продемонстрировано, что наблюденная картина фотоотклика формируется одночастичными и коллективными (магнетоплазменными) эффектами.
展开▼
