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【24h】

GaAsのスクラッチ加工におけるクラック発生機構の結晶方位依存性第1報：GaAsにおけるクラック発生機構の特異性

机译：GaAs划痕加工中裂纹产生机理的晶体取向依赖性第一篇报道：GaAs裂纹产生机理的特异性

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本研究は，GaAs半導体の研削加工におけるクラック発生機構を明らかにすることを目的としている．単粒研削時のクラック発生過程を詳細に検討するため，傾斜ステージをもったスクラッチ加工機を試作した．これを用いてGaAs(100)のスクラッチ加工実験を行い，とくに結晶方位依存性の観点から，GaAsにおけるクラック発生機構の特異性について検討した．これより，GaAsにおけるクラックの発生は結晶方位に強く依存し，[011]方向に加工したときに最も脆性破壊が生じやすく，[011]方向の場合に最も生じにくいことがわかった．また，脆性破壊部の形状は加工方向によって大きく異なる．以上の結果より，GaAsにおけるクラック発生機構は結晶方位によって変化し，その傾向はSiのそれとは異なることがわかった．
机译：本研究的目的是阐明GaAs半导体磨削过程中的裂纹产生机理。为了详细研究单晶粒磨削过程中的裂纹产生过程，我们设计了带有倾斜平台的划痕加工机原型。利用这一点，我们在GaAs（100）上进行了划痕加工实验，并从晶体取向依赖性的角度研究了GaAs裂纹产生机理的特异性。由此发现，GaAs中裂纹的产生强烈地取决于晶体取向，并且当在[011]方向上加工时，脆性断裂最可能发生，并且在[011]方向上最不可能发生。另外，脆性断裂部的形状根据加工方向而变化很大。从以上结果发现，GaAs中的裂纹产生机理根据晶体取向而变化，并且该趋势不同于Si中的趋势。

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