MEID: reliable nonvolatile memory concept using nano-dot storage node

To Mo Yuki Ishii; Taro Osabe; Toshiyuki Mine; Fumio Murai; Kazuo Yano

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MEID: reliable nonvolatile memory concept using nano-dot storage node

机译：MEID：使用纳米点存储节点的可靠非易失性存储器概念

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The origin of device characteristic deviations of single or few electron memory, which is the most serious obstacle to achieve practical memory, is studied and is compared to fabricated memory cells of various dot radius and densities. The potential to achieve Gb class memory is demonstrated and its benefits MEID are proposed.

机译：研究了单个或少量电子存储器的器件特性偏差的成因，这是实现实际存储器的最严重障碍，并将其与各种点半径和密度的制造存储器单元进行了比较。展示了实现Gb类内存的潜力，并提出了MEID的优点。

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来源
《電子情報通信学会技術研究報告. 集積回路. Integrated Circuits and Devices》 |2002年第3期|共3页
作者
To Mo Yuki Ishii; Taro Osabe; Toshiyuki Mine; Fumio Murai; Kazuo Yano;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
Na no-dot; Nonvolatile memory;

机译：Na无点非易失性存储器;

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