確実に動作する高速スイッチングのパワー回路を設計するために：パワーMOSFETの基礎と応用

著录项

• 来源
  《トランジスタ技術》 |2002年第4期|共14页
• 作者

  義平隆之; 亀田充弘; Takayuki Yoshihira; Mitsuhiro Kameda;

  展开▼
• 作者单位

  展开▼
• 收录信息
• 原文格式 PDF
• 正文语种 jpn
• 中图分类 半导体三极管（晶体管）;
• 关键词

  オン抵抗領域; 飽和領域; 多数キャリア·デバイス; 安全動作領域; 熱抵抗; セル; オン抵抗; 順方向伝達アドミタンス; ゲート入力電荷量; ダイオード·リカバリ特性; 偏移電流; セルフ·ターン·オン; ボンディング·ワイヤ; 入力容量; 帰還容量; 出力容量; dv/dt;

  机译：导通电阻区域;饱和区域;多载波器件;安全工作区域;热阻;电池;导通电阻;正向传输导纳;栅极输入电荷量;二极管恢复特性;偏差电流;自导通;粘接·电线;输入容量;反馈容量;输出容量;dv / dt;