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【24h】

ダイオード/MOSFET/IGBTのSPICEモデル

机译:二极管/ MOSFET / IGBT SPICE模型

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摘要

半導体のSPICEモデルは,基本的にパラメータ·モデルです.型名を考慮したSPICEモデルは,パラメータをそのデバイスにあわせなくてはなりません.実際にはパラメータ·モデルには弱点があり,それを補うために等価回路を付加したり新しい等価回路モデルを作ったりする場合もあります.ここではダイオード,MOSFET,IGBTについて比べます.
机译:半导体SPICE模型基本上是参数模型。考虑类型名称的SPICE模型必须使参数与设备匹配。实际上,参数模型具有弱点,并且为了弥补它们,可以添加等效电路或可以创建新的等效电路模型。在这里,我们将比较二极管,MOSFET和IGBT。

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