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Understanding the Oxidative Addition of sigma-Bonds to Group13 Compounds

机译：了解Sigma键与Group13化合物的氧化加成

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The oxidative addition reaction of X-H sigma-bonds to Group13 (E=Al, Ga, In) containing compounds has been computationally explored within the density functional theory framework. These reactions, which proceed concertedly involving the (EEIII)-E-I oxidation, are exothermic and associated with relatively low activation barriers. In addition, the following trends in reactivity are found: (i)the activation barriers are lower for the X-H bonds involving the heavier element in the same group (E: C>Si; N>P; O>S), (ii)the process becomes kinetically more favorable in going from left to right in the same period (E: C>N>O; Si approximate to P>S), and (iii)the activation barrier systematically increases when heavier Group13 elements are involved in the transformation (E: Al
机译：在密度泛函理论框架内，已通过计算探索了X-Hσ键与含13号化合物（E = Al，Ga，In）的化合物的氧化加成反应。这些共同参与（EEIII）-E-1氧化的反应是放热的，并具有相对较低的活化势垒。此外，发现以下反应趋势：（i）涉及同一组中较重元素的XH键的活化势垒较低（E：C> Si; N> P; O> S），（ii）该过程在动力学上在同一时期内从左到右变得更加有利（E：C> N> O; Si近似于P> S），（iii）当重13族元素参与其中时，活化势垒系统地增加。相变（E：Al ＜Ga ＜In）。通过反应的活化-应变模型结合能量分解分析方法，对这些反应趋势进行了详细分析和定量合理化。

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