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Flexible Proton-Gated Oxide Synaptic Transistors on Si Membrane

机译：硅膜上的柔性质子门控氧化物突触晶体管

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Ion-conducting materials have received considerable attention for their applications in fuel cells, electrochemical devices, and sensors. Here, flexible indium zinc oxide (InZnO) synaptic transistors with multiple presynaptic inputs gated by proton-conducting phosphorosilicate glass-based electrolyte films are fabricated on ultrathin Si membranes. Transient characteristics of the proton gated InZnO synaptic transistors are investigated, indicating stable proton-gating behaviors. Short-term synaptic plasticities are mimicked on the proposed proton-gated synaptic transistors. Furthermore, synaptic integration regulations are mimicked on the proposed synaptic transistor networks. Spiking logic modulations are realized based on the transition between superlinear and sublinear synaptic integration. The multigates coupled flexible proton-gated oxide synaptic transistors may be interesting for neuroinspired platforms with sophisticated spatiotemporal information processing.
机译：离子导电材料在燃料电池，电化学装置和传感器中的应用受到了广泛的关注。在此，在超薄Si膜上制造具有多个通过质子传导磷硅酸盐玻璃基电解质膜门控的突触前输入的柔性铟锌氧化物（InZnO）突触晶体管。质子门控的InZnO突触晶体管的瞬态特性进行了研究，表明稳定的质子门控行为。在拟议的质子门控突触晶体管上模拟了短期突触可塑性。此外，在拟议的突触晶体管网络上模仿突触整合规则。尖峰逻辑调制是基于超线性和亚线性突触积分之间的过渡实现的。对于具有复杂的时空信息处理功能的神经启发平台，多栅极耦合的柔性质子门控氧化物突触晶体管可能是有趣的。

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