• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Applied optics >Intensity dependent residual amplitude modulation in electro-optic phase modulators
【24h】

Intensity dependent residual amplitude modulation in electro-optic phase modulators

机译：电光相位调制器中与强度有关的残余幅度调制

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Residual amplitude modulation (RAM) mechanisms in electro-optic phase modulators are detrimental in applications that require high purity phase modulation of the incident laser beam. While the origins of RAM are not fully understood, measurements have revealed that it depends on the beam properties of the laser as well as the properties of the medium. Here we present experimental and theoretical results that demonstrate, for the first time, the dependence of RAM production in electro-optic phase modulators on beam intensity. The results show an order of magnitude increase in the level of RAM, around 10 dB, with a fifteenfold enhancement in the input intensity from 12 to 190 mW/mm~(2). We show that this intensity dependent RAM is photorefractive in origin.
机译：电光相位调制器中的残留幅度调制（RAM）机制在需要对入射激光束进行高纯度相位调制的应用中是有害的。虽然RAM的起源尚未完全明了，但测量表明它取决于激光的光束特性以及介质的特性。在这里，我们提供实验和理论结果，这首次证明了电光相位调制器中RAM的产生对光束强度的依赖性。结果表明，RAM的电平增加了一个数量级，约为10 dB，输入强度从12增强到190 mW / mm〜（15），提高了15倍。我们表明，这种与强度有关的RAM在起源上是光折变的。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号