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Comparing Hall Effect and Field Effect Measurements on the Same Single Nanowire

机译：比较同一条纳米线的霍尔效应和场效应测量

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We compare and discuss the two most commonly used electrical characterization techniques for nanowires (NWs). In a novel single-NW device, we combine Hall effect and back-gated and top-gated field effect measurements and quantify the carrier concentrations in a series of sulfur-doped InP NWs. The carrier concentrations from Hall effect and field effect measurements are found to correlate well when using the analysis methods described in this work. This shows that NWs can be accurately characterized with available electrical methods, an important result toward better understanding of semiconductor NW doping.
机译：我们比较并讨论了两种最常用的纳米线（NWs）电学表征技术。在新颖的单NW器件中，我们将霍尔效应与背栅和顶栅场效应测量相结合，并量化了一系列硫掺杂InP NW中的载流子浓度。当使用本工作中描述的分析方法时，霍尔效应和场效应测量的载流子浓度之间存在很好的相关性。这表明，可用可用的电学方法可以准确地表征NW，这是更好地理解半导体NW掺杂的重要结果。

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