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Spin filling of valley-orbit states in a silicon quantum dot

机译：自旋填充硅量子点中的谷轨道状态

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We report the demonstration of a low-disorder silicon metal-oxide- semiconductor (Si MOS) quantum dot containing a tunable number of electrons from zero to N = 27. The observed evolution of addition energies with parallel magnetic field reveals the spin filling of electrons into valley-orbit states. We find a splitting of 0.10meV between the ground and first excited states, consistent with theory and placing a lower bound on the valley splitting. Our results provide optimism for the realisation in the near future of spin qubits based on silicon quantum dots.
机译：我们报告了一个低序硅金属氧化物半导体（Si MOS）量子点的演示，该量子点包含从零到N = 27的可调数量的电子。观察到的具有平行磁场的加能演化表明电子自旋填充进入山谷轨道状态。我们发现在基态和第一激发态之间存在0.10meV的分裂，这与理论相符，并且在谷值分裂上设置了下限。我们的研究结果为基于硅量子点的自旋量子比特在不久的将来的实现提供了乐观。

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