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【24h】

A stacked memory device on logic 3D technology for ultra-high-density data storage

机译：基于逻辑3D技术的堆叠存储设备，用于超高密度数据存储

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We have demonstrated, for the first time, a novel three-dimensional (3D) memory chip architecture of stacked-memory-devices-on-logic (SMOL) achieving up to 95% of cell-area efficiency by directly building up memory devices on top of front-end CMOS devices. In order to realize the SMOL, a unique 3D Flash memory device and vertical integration structure have been successfully developed. The SMOL architecture has great potential to achieve tera-bit level memory density by stacking memory devices vertically and maximizing cell-area efficiency. Furthermore, various emerging devices could replace the 3D memory device to develop new 3D chip architectures.
机译：我们首次展示了一种新颖的三维（3D）存储芯片架构，该架构采用逻辑堆叠存储设备（SMOL），可通过直接在其上构建存储设备来实现高达95％的单元区域效率。前端CMOS器件的顶部。为了实现SMOL，已经成功开发了独特的3D闪存设备和垂直集成结构。 SMOL体系结构具有巨大的潜力，可以通过垂直堆叠存储设备并最大化单元区域效率来达到太比特级存储密度。此外，各种新兴设备可以代替3D存储设备来开发新的3D芯片体系结构。

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