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Polarity determination by electron energy-loss spectroscopy: Application to ultra-small III-nitride semiconductor nanocolumns

机译：电子能量损失光谱法测定极性：在超小型III族氮化物半导体纳米柱中的应用

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Channeling-enhanced electron energy-loss spectroscopy is applied to determine the polarity of ultra-small nitride semiconductor nanocolumns in transmission electron microscopy. The technique demonstrates some practical advantages in the nanostructure analysis, especially for feature sizes of less than 50nm. We have studied GaN and (Al, Ga)N nanocolumns grown in a self-assembled way by molecular beam epitaxy directly on bare Si(111) substrates and on AlN buffer layers, respectively. The GaN nanocolumns on Si show an N polarity, while the (Al, Ga)N nanocolumns on an AlN buffer exhibit a Ga polarity. The different polarities of nanocolumns grown in a similar procedure are interpreted in terms of the specific interface bonding configurations. Our investigation contributes to the understanding of polarity control in III-nitride nanocolumn growth.
机译：沟道增强型电子能量损失谱用于确定透射电子显微镜中超小型氮化物半导体纳米柱的极性。该技术在纳米结构分析中显示出一些实际的优势，特别是对于小于50nm的特征尺寸。我们已经研究了通过分子束外延直接在裸露的Si（111）衬底和AlN缓冲层上以自组装方式生长的GaN和（Al，Ga）N纳米柱。 Si上的GaN纳米柱显示N极性，而AlN缓冲液上的（Al，Ga）N纳米柱显示Ga极性。根据特定的界面键合配置，可以解释以相似的步骤生长的纳米柱的不同极性。我们的研究有助于理解III型氮化物纳米柱生长中的极性控制。

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