机译:表面散射对非对称偏置InAs / In _(0.52)Al _(0.48)As量子点接触中异常电导平台的影响
机译:表面散射对非对称偏置InAs / In _(0.52)Al _(0.48)As量子点接触中异常电导平台的影响
机译:在不对称偏置的GaAs量子点接触中观察到0.5电导平台
机译:在不对称偏置的GaAs量子点接触中观察到0.5电导平台
机译:掺杂在基板/缓冲层界面在RashBA系数α中的in_(0.52)Al_(0.48)AS / IN_(0.53)GA_(0.47)AS / IN_(0.52)AL_(0.48)中的效果,为非对称量子阱
机译:导电圆柱INA平行板波导中的时域和频域散射。
机译:在存在侧旋自旋轨道耦合的情况下InAs量子点接触中0.5×(2e2 / h)电导平台的宽度依赖性
机译:不相溶的合金In0.52Al0.48As的层厚对In0.52Al0.48As / InP(001)上生长的InAs纳米结构形态的影响
机译:正常入射高性能p型应变层在(0.3)Ga(0.7)as / In(0.52)al(0.48)as量子阱红外光电探测器中的研究