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首页> 外文期刊>Nanotechnology >Coupled effects of ion beam chemistry and morphology on directed self-assembly of epitaxial semiconductor nanostructures
【24h】

Coupled effects of ion beam chemistry and morphology on directed self-assembly of epitaxial semiconductor nanostructures

机译：离子束化学和形态对外延半导体纳米结构定向自组装的耦合作用

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We study the coupled effects of ion beam chemistry and morphology on the assembly of templated epitaxial nanostructures. Using a focused ion beam (FIB) system equipped with a mass-selecting filter, we pattern Si substrates with local ion doses of Si, Ge and Ga to control subsequent Ge_xSi _(1-x) epitaxial nanostructure assembly. This capability to employ different templating species allows us to study how different incorporated ion species in the near surface region affect the ability to localize nucleation during subsequent epitaxial growth. Our results indicate that FIB-directed self-assembly is a complex process, dependent on dose-induced morphology in addition to ion-specific chemical effects.
机译：我们研究了离子束化学和形态对模板化外延纳米结构组装的耦合作用。使用装备有质量选择滤波器的聚焦离子束（FIB）系统，我们用局部离子剂量的Si，Ge和Ga图案化Si衬底，以控制后续的Ge_xSi _（1-x）外延纳米结构组装。这种使用不同模板物质的能力使我们能够研究近表面区域中不同的结合离子种类如何影响随后的外延生长过程中的局部成核能力。我们的结果表明，FIB指导的自组装是一个复杂的过程，除离子特异性化学作用外，还取决于剂量诱导的形态。

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