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Plasmon excitation in electron energy-loss spectroscopy for determination of indium concentration in (In,Ga)N/GaN nanowires

机译：电子能量损失谱中的等离子激发测定（In，Ga）N / GaN纳米线中的铟浓度

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We demonstrate the potential of low-loss electron energy-loss spectroscopy in transmission electron microscopy as a quick and straightforward method to determine the local indium compositions in (In,Ga)N/GaN nanowires. The (In,Ga)N/GaN nanowire heterostructures are grown by plasma assisted molecular beam epitaxy on Si(111) substrates in a self-assembled way, and on patterned GaN templates in an ordered way. A wide range of indium contents is realized by varying the substrate temperatures. The plasmon peak in low-loss electron energy-loss spectroscopy exhibits a linear relation with respect to indium concentration in (In,Ga)N nanowires, allowing for a direct compositional analysis. The high spatial resolution of this method in combination with structural information from transmission electron microscopy will contribute to a basic understanding of the lattice pulling effect during (In,Ga)N/GaN nanowire growth.
机译：我们证明了低损耗电子能谱在透射电子显微镜中的潜力，可以作为一种快速而直接的方法来确定（In，Ga）N / GaN纳米线中的局部铟组成。 （In，Ga）N / GaN纳米线异质结构通过等离子辅助分子束外延以自组装的方式在Si（111）衬底上以及在有序的GaN模板上生长。通过改变衬底温度可以实现多种铟含量。低损耗电子能量损失谱中的等离激元峰相对于（In，Ga）N纳米线中的铟浓度表现出线性关系，从而可以直接进行成分分析。此方法的高空间分辨率与透射电子显微镜的结构信息相结合，将有助于对（In，Ga）N / GaN纳米线生长过程中晶格拉动效应的基本了解。

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