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【24h】

The effect of Ga content on In _(2x)Ga _(22x)O _3 nanowire transistor characteristics

机译：Ga含量对In _（2x）Ga _（22x）O _3纳米线晶体管特性的影响

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We have investigated the change in structural and electrical properties of In _(2x)Ga _(22x)O _3 nanowires (x=1, 0.69 and 0.32) grown with varied indium (In) and gallium (Ga) contents. The as-grown In _(2x)Ga _(22x)O _3 nanowires kept the cubic crystal structure of In _2O _3 intact even when the atomic percentages of Ga were increased to 31% (x=0.69) and 68% (x=0.32) in comparison to the total amount of In and Ga. However, as Ga added to In _2O _3 structure was substituted with In, the lattice constant decreased and, consequently, the main peaks observed in x-ray diffraction in the direction of (222), (400) and (440) shifted by around 0.08°. The average threshold voltage values for the In _(2x)Ga _(22x)O _3 nanowire transistors were 9.9V (x=1), 6.6V (x=0.67) and 5.6V (x=0.32), exhibiting a more positive shift and the sub-threshold slope increased to 0.53V /dec (x=1), 0.33V /dec (x=0.67) and 0.27V /dec (x=0.32), showing an improved switching characteristic with increasing Ga.
机译：我们研究了In_（2x）Ga _（22x）O _3纳米线（x = 1、0.69和0.32）随铟（In）和镓（Ga）含量的变化而发生的结构和电学性质的变化。即使Ga的原子百分比增加到31％（x = 0.69）和68％（x =），生长的In _（2x）Ga _（22x）O _3纳米线仍保持In _2O _3的立方晶体结构完整。与In和Ga的总量相比为0.32）。但是，由于将In _2O _3结构中添加的Ga替换为In时，晶格常数降低，因此在X射线衍射中观察到的主要峰为（ （222），（400）和（440）偏移约0.08°。 In _（2x）Ga _（22x）O _3纳米线晶体管的平均阈值电压值为9.9V（x = 1），6.6V（x = 0.67）和5.6V（x = 0.32），表现出更大的正值偏移和亚阈值斜率分别增加到0.53V / dec（x = 1），0.33V / dec（x = 0.67）和0.27V / dec（x = 0.32），显示出随着Ga的增加而改善的开关特性。

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