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Interplay between crystal phase purity and radial growth in InP nanowires

机译：InP纳米线中晶相纯度与径向生长之间的相互作用

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The interplay between crystal phase purity and radial growth in InP nanowires is investigated. By modifying the growth rate and V/III ratio, regions of high or low stacking fault density can be controllably introduced into wurtzite nanowires. It is found that regions with high stacking fault density encourage radial growth. Through careful choice of growth conditions pure wurtzite InP nanowires are then grown which exhibit narrow 4.2K photoluminescence linewidths of 3.7meV at 1.490meV, and no evidence of emission related to stacking faults or zincblende insertions.
机译：研究了InP纳米线中晶相纯度与径向生长之间的相互作用。通过修改生长速率和V / III比，可以将高或低堆垛层错密度区域可控制地引入纤锌矿纳米线中。发现具有高堆垛层错密度的区域促进了径向生长。通过仔细选择生长条件，可以生长纯纤锌矿InP纳米线，该纳米线在1.490meV处具有3.7meV的4.2K窄光致发光线宽，并且没有与堆叠缺陷或闪锌矿插入有关的发射证据。

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