• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Nanotechnology >Environmental photostability of SF_6-etched silicon nanocrystals
【24h】

Environmental photostability of SF_6-etched silicon nanocrystals

机译：SF_6刻蚀的硅纳米晶体的环境光稳定性

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We report on the long-term environmental stability of the photoluminescent (PL) properties of silicon nanocrystals (SiNCs). We prepared sulfur hexafluoride (SF_6) etched SiNCs in a two-stage plasma reactor and investigated their PL stability against UV irradiation in air. Unlike SiNCs with hydrogen-passivated surfaces, the SF_6-etched SiNCs exhibit no photobleaching upon extended UV irradiation despite surface oxidation. Furthermore, the PL quantum yield also remains stable upon heating the SF_6-etched SiNCs up to 160°C. The observed thermal and UV stability of SF_6-etched SiNCs combined with their PL quantum yields of up to 50% make them attractive candidates for UV downshifting to enhance the efficiency of solar cells. Electron paramagnetic spin resonance indicates that the SF_6-etched SiNCs have a lowered density of defect states, both as-formed and after room temperature oxidation in air.
机译：我们报告了硅纳米晶体（SiNCs）的光致发光（PL）特性的长期环境稳定性。我们在两步等离子体反应器中制备了六氟化硫（SF_6）蚀刻的SiNC，并研究了它们在空气中对紫外线辐射的PL稳定性。与具有氢钝化表面的SiNC不同，经SF_6蚀刻的SiNC尽管经过表面氧化处理，但在长时间的紫外线照射下仍不会出现光致漂白。此外，在将经SF-6蚀刻的SiNC加热至160°C时，PL量子产率也保持稳定。观察到的被SF-6腐蚀的SiNC的热稳定性和UV稳定性以及高达50％的PL量子产率使它们成为UV下移以提高太阳能电池效率的有吸引力的候选者。电子顺磁自旋共振表明，SF-6腐蚀的SiNC的缺陷态密度降低，无论是初态还是在室温下在空气中氧化之后。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号