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【24h】

Low voltage flexible nonvolatile memory with gold nanoparticles embedded in poly(methyl methacrylate)

机译：纳米金嵌在聚甲基丙烯酸甲酯中的低压柔性非易失性存储器

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We demonstrate air-stable low voltage flexible nonvolatile memory transistors by embedding gold nanoparticles (Au NPs) in poly(methyl methacrylate) (PMMA) as the charge storage element. The solution processability of the nanocomposite is suitable for low-cost large area processing on flexible substrates. The memory transistor exhibits a memory window of 2.1V, long retention time (>10~ 5s) with low operating voltage (≤5V). The memory behavior has been tuned via varying the composition of the fillers (Au NPs), which offers relatively easy processability for different flexible electronics applications. The electrical properties of the memory devices are found to be stable under bending. These findings will be of value for low cost and low voltage advanced flexible electronics.
机译：我们通过将金纳米颗粒（Au NPs）嵌入聚（甲基丙烯酸甲酯）（PMMA）中作为电荷存储元件来演示空气稳定的低压柔性非易失性存储晶体管。纳米复合材料的溶液可加工性适合于在柔性基底上的低成本大面积加工。存储器晶体管的存储器窗口为2.1V，保持时间长（> 10〜5s），工作电压低（≤5V）。通过更改填充剂（Au NP）的成分可以调节存储性能，从而为不同的柔性电子应用提供相对容易的加工性能。发现存储器件的电性能在弯曲下是稳定的。这些发现对于低成本和低压先进的柔性电子产品将具有价值。

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