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On the fabrication of crystalline C_ (60) nanorod transistors from solution

机译：从溶液中制备晶体C_（60）纳米棒晶体管

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Flexible and high-aspect-ratio C_ (60) nanorods are synthesized using a liquid-liquid interfacial precipitation process. As-grown nanorods are shown to exhibit a hexagonal close-packed single-crystal structure, with m-dichlorobenzene solvent molecules incorporated into the crystalline structure in a C_ (60):m-dichlorobenzene ratio of 3:2. An annealing step at 200°C transforms the nanorods into a solvent-free face-centred-cubic polycrystalline structure. The nanorods are deposited onto field-effect transistor structures using two solvent-based techniques: drop-casting and dip-coating. We find that dip-coating deposition results in a preferred alignment of non-bundled nanorods and a satisfying transistor performance. The latter is quantified by the attainment of an electron mobility of 0.08cm~ 2V~ 1s~ 1 and an on/off ratio of >10~ 4 for a single-crystal nanorod transistor, fabricated with a solution-based and low-temperature process that is compatible with flexible substrates.
机译：柔性和高纵横比的C_（60）纳米棒是使用液-液界面沉淀法合成的。所生长的纳米棒显示出六方密堆积的单晶结构，其中间二氯苯溶剂分子以3：2的C_（60）：间二氯苯比率掺入晶体结构。在200°C的退火步骤将纳米棒转变为无溶剂的面心立方多晶结构。使用两种基于溶剂的技术将纳米棒沉积到场效应晶体管结构上：滴铸和浸涂。我们发现浸涂沉积导致非束缚的纳米棒的优选排列和令人满意的晶体管性能。对于单晶纳米棒晶体管，采用溶液法和低温工艺制造，通过获得0.08cm〜2V〜1s〜1的电子迁移率和> 10〜4的开/关比，可以对后者进行量化。与柔性基板兼容。

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