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【24h】

Site-specific and patterned growth of TiO _2 nanotube arrays from e-beam evaporated thin titanium film on Si wafer

机译：硅晶片上电子束蒸发钛薄膜形成TiO _2纳米管阵列的定点和图案生长

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Growth of TiO _2 nanotubes on thin Ti film deposited on Si wafers with site-specific and patterned growth using a photolithography technique is demonstrated for the first time. Ti films were deposited via e-beam evaporation to a thickness of 350-1000nm. The use of a fluorinated organic electrolyte at room temperature produced the growth of nanotubes with varying applied voltages of 10-60V (DC) which remained stable after annealing at 500°C. It was found that variation of the thickness of the deposited Ti film could be used to control the length of the nanotubes regardless of longer anodization time/voltage. Growth of the nanotubes on a SiO _2 barrier layer over a Si wafer, along with site-specific and patterned growth, enables potential application of TiO _2 nanotubes in NEMS/MEMS-type devices.
机译：首次展示了使用光刻技术以特定位置和图案化生长方式在沉积在硅片上的Ti薄膜上生长TiO _2纳米管。通过电子束蒸发将Ti膜沉积至350-1000nm的厚度。在室温下使用氟化有机电解质可产生纳米管的生长，其施加的电压为10-60V（DC），在500°C退火后仍保持稳定。发现沉积的Ti膜的厚度的变化可用于控制纳米管的长度，而不管更长的阳极氧化时间/电压。纳米碳管在Si晶片上方的SiO _2阻挡层上的生长以及特定位置的和有图案的生长，使得TiO _2纳米管在NEMS / MEMS型器件中的潜在应用成为可能。

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