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首页> 外文期刊>Nanotechnology >Large area photoconductive terahertz emitter for 1.55 μm excitation based on an InGaAs heterostructure
【24h】

Large area photoconductive terahertz emitter for 1.55 μm excitation based on an InGaAs heterostructure

机译：基于InGaAs异质结构的1.55μm激发的大面积光电导太赫兹发射器

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We present scalable large area terahertz (THz) emitters based on a nanoscale multilayer InGaAs/InAlAs heterostructure and a microstructured electrode pattern. The emitters are designed for pump lasers working at the telecommunication wavelength of 1.55 μm. Electric THz fields of more than 2.5 V cm~(-1) are reached with moderate pump powers of 80 mW, the corresponding spectrum extends up to 3 THz. The saturation characteristics have been investigated for different pump laser spot sizes. For small pump powers of less than 50 mW the emitted THz field is nearly independent of the spot size, for higher pump powers and small spot sizes a clear saturation of the generated THz pulse can be observed. Hence the use of scalable emitters is especially promising for high power fibre laser systems. The spectral content of the generated radiation is nearly independent of the parameters spot size, pump power, and bias voltage, which allows for stable operation in spectroscopic applications.
机译：我们目前基于纳米级多层InGaAs / InAlAs异质结构和微结构化电极图案的可扩展大面积太赫兹（THz）发射器。发射器设计用于工作波长为1.55μm的泵浦激光器。在80 mW的中等泵浦功率下，可达到超过2.5 V cm〜（-1）的THz电场，相应的频谱扩展到3 THz。已经针对不同的泵浦激光光斑尺寸研究了饱和特性。对于小于50 mW的小型泵浦功率，发射的THz场几乎与光斑尺寸无关，对于较高的泵浦功率和较小的光斑尺寸，可以观察到所产生的THz脉冲明显饱和。因此，对于高功率光纤激光器系统，可伸缩发射器的使用特别有前途。所产生的辐射的光谱含量几乎与参数光斑大小，泵浦功率和偏置电压无关，从而可以在光谱应用中稳定运行。

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