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【24h】

Highly efficient near-infrared light-emitting diodes by using type-II CdTe/CdSe core/shell quantum dots as a phosphor

机译：以II型CdTe / CdSe核/壳量子点为荧光粉的高效近红外发光二极管

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In this paper, we present an innovative method for the synthesis of CdTe/CdSe type-II core/shell structure quantum dots (QDs) using 'greener' chemicals. The PL of CdTe/CdSe type-II core/shell structure QDs ranges from 600 to 820 nm, and the as-synthesized core/shell structures show narrow size distributions and stable and high quantum yields (50-75%). Highly efficient near-infrared light-emitting diodes (LEDs) have been demonstrated by employing the CdTe/CdSe type-II core/shell QDs as emitters. The devices fabricated based on these type-II core/shell QDs show color-saturated near-infrared emission from the QD layers, a low turn-on voltage of 1.55 V, an external quantum efficiency (EQE) of 1.59%, and a current density and maximum radiant emittance of 2.1 × 10~3 mA cm~(-2) and 17.7 mW cm~(-2) at 8 V; it is the first report to use type-II core/shell QDs as near-infrared emitters and these results may offer a practicable platform for the realization of near-infrared QD-based light-emitting diodes, night-vision-readable displays, and friend/foe identification system.
机译：在本文中，我们提出了一种使用“绿色”化学物质合成CdTe / CdSe II型核/壳结构量子点（QD）的创新方法。 CdTe / CdSe II型核/壳结构QD的PL范围为600至820 nm，合成后的核/壳结构显示出窄的尺寸分布以及稳定且高的量子产率（50-75％）。通过将CdTe / CdSe II型核/壳QD用作发射器，已经证明了高效的近红外发光二极管（LED）。基于这些II型核/壳QD制成的器件显示出来自QD层的色彩饱和的近红外发射，1.55 V的低开启电压，1.59％的外部量子效率（EQE）和电流8 V时的密度和最大辐射发射为2.1×10〜3 mA cm〜（-2）和17.7 mW cm〜（-2）;这是第一份使用II型核/壳QD作为近红外发射器的报告，这些结果可能为实现基于近QD的近红外发光二极管，夜视可读显示器以及朋友/敌人识别系统。

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