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首页> 外文期刊>Nanotechnology >Vertically aligned nanostructures based on Na-doped ZnO nanorods for wide band gap semiconductor memory applications
【24h】

Vertically aligned nanostructures based on Na-doped ZnO nanorods for wide band gap semiconductor memory applications

机译：基于Na掺杂的ZnO纳米棒的垂直排列纳米结构，用于宽带隙半导体存储应用

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Vertically aligned undoped ZnO nanotips, nanotubes and nanorods were synthesized on the top facets of Na-doped ZnO nanorods without catalytic assistance under different growth times in a chemical vapor deposition system. The growth mechanism is discussed. The Na-doped nanorods were grown on a ZnO seed layer on Si. The p-type conductivity of the Na-doped nanorods was studied by temperature-dependent photoluminescence and nanorod back-gated field effect transistor measurements. The undoped nanorods, Na-doped nanorods and undoped seed layer form an n-p-n memory structure. The programming and retention characteristics have been demonstrated.
机译：在化学气相沉积系统中，在不同生长时间下，在没有催化协助的情况下，在不掺杂催化的Na掺杂ZnO纳米棒的顶面上合成了垂直排列的未掺杂ZnO纳米尖端，纳米管和纳米棒。讨论了生长机理。 Na掺杂的纳米棒生长在Si上的ZnO种子层上。通过温度相关的光致发光和纳米棒背栅场效应晶体管的测量研究了掺Na纳米棒的p型电导率。未掺杂的纳米棒，Na掺杂的纳米棒和未掺杂的种子层形成n-p-n存储结构。已经证明了编程和保留特性。

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