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Efficient quantum dot light-emitting diodes with solution-processable molybdenum oxide as the anode buffer layer

机译：以溶液可加工的氧化钼为阳极缓冲层的高效量子点发光二极管

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Quantum dot light-emitting diodes (QD-LEDs) are characterized by pure and saturated emission colors with narrow bandwidth. Optimization of the device interface is an effective way to achieve stable and high-performance QD-LEDs. Here we utilized solution-processed molybdenum oxide (MoOx) as the anode buffer layer on ITO to build efficient QD-LEDs. Using MoOx as the anode buffer layer provides the QD-LED with good Ohmic contact and a small charge transfer resistance. The device luminance is nearly independent of the thickness of the MoOx anode buffer layer. The QD-LEDs with a MoOx anode buffer layer exhibit a maximum luminance and luminous efficiency of 5230 cd m-2 and 0.67 cd A-1 for the yellow emission at 580 nm, and 7842 cd m-2 and 1.49 cd A-1 for the red emission at 610 nm, respectively.
机译：量子点发光二极管（QD-LED）的特征是具有窄带宽的纯色和饱和发射色。优化设备接口是实现稳定和高性能QD-LED的有效方法。在这里，我们利用溶液处理的氧化钼（MoOx）作为ITO上的阳极缓冲层来构建高效的QD-LED。使用MoOx作为阳极缓冲层可为QD-LED提供良好的欧姆接触和较小的电荷转移电阻。器件的亮度几乎与MoOx阳极缓冲层的厚度无关。带有MoOx阳极缓冲层的QD-LED在580 nm处的黄光发射最大亮度和发光效率分别为5230 cd m-2和0.67 cd A-1，对于580nm的黄光发射则为7842 cd m-2和1.49 cd A-1。分别在610 nm处发出红色光。

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