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Flexible graphene-PZT ferroelectric nonvolatile memory

机译：柔性石墨烯-PZT铁电非易失性存储器

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We report the fabrication of a flexible graphene-based nonvolatile memory device using Pb(Zr_(0.35),Ti_(0.65))O_3 (PZT) as the ferroelectric material. The graphene and PZT ferroelectric layers were deposited using chemical vapor deposition and sol-gel methods, respectively. Such PZT films show a high remnant polarization (P_r) of 30 μ_C cm ~(-2) and a coercive voltage (V_c) of 3.5 V under a voltage loop over ±11 V. The graphene-PZT ferroelectric nonvolatile memory on a plastic substrate displayed an on/off current ratio of 6.7, a memory window of 6 V and reliable operation. In addition, the device showed one order of magnitude lower operation voltage range than organic-based ferroelectric nonvolatile memory after removing the anti-ferroelectric behavior incorporating an electrolyte solution. The devices showed robust operation in bent states of bending radii up to 9 mm and in cycling tests of 200 times. The devices exhibited remarkable mechanical properties and were readily integrated with plastic substrates for the production of flexible circuits.
机译：我们报告了使用Pb（Zr_（0.35），Ti_（0.65））O_3（PZT）作为铁电材料的柔性石墨烯基非易失性存储器件的制造。分别使用化学气相沉积和溶胶-凝胶法沉积石墨烯和PZT铁电层。此类PZT膜在±11 V以上的电压环路下显示出30μC/ cm-（-2）的高残余极化（P_r）和3.5 V的矫顽电压（V_c）。显示的开/关电流比为6.7，存储窗口为6 V，运行可靠。另外，在去除结合了电解质溶液的反铁电行为之后，该器件显示出比有机基铁电非易失性存储器低一个数量级的工作电压范围。该器件在最大弯曲半径为9 mm的弯曲状态下以及200次循环测试中均显示出强劲的运行性能。这些器件表现出卓越的机械性能，并且很容易与塑料基板集成在一起以生产柔性电路。

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