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Crystallization kinetics of Ga metallic nano-droplets under As flux

机译：Ga金属纳米滴在As通量下的结晶动力学

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We present an experimental investigation of the crystallization dynamics of Ga nano-droplets under As flux. The transformation of the metallic Ga contained in the droplets into a GaAs nano-island proceeds by increasing the size of a tiny ring of GaAs which is formed just after the Ga deposition at the rim of a droplet. The GaAs crystallization rate depends linearly on the liquid-solid interface area. The maximum growth rate is set by the As flux impinging on the droplet, thus showing an efficient As incorporation and transport despite the predicted low solubility of the As in metallic Ga at the crystallization temperatures.
机译：我们目前在砷通量下Ga纳米液滴的结晶动力学的实验研究。液滴中所含的金属Ga转变为GaAs纳米岛的过程是通过增大Ga的微小环的尺寸来进行的，该环在Ga沉积在液滴的边缘后立即形成。 GaAs的结晶速率线性地取决于液-固界面面积。最大生长速率由撞击在液滴上的As助熔剂设定，因此尽管在结晶温度下预计As在金属Ga中的溶解度较低，但仍显示出有效的As引入和转运。

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